Hipofosfito de aluminio de grado electrónico

El hipofosfito de aluminio de grado electrónico desarrollado y producido por Taixing adopta de manera innovadora la tecnología central de purificación de materia prima de grado electrónico y modificación de clasificación de precisión. Utiliza como matriz Al (H ₂ PO ₂) I3 de alta pureza, con una pureza superior al 99,8% y un contenido de fósforo ≥ 42,5%. Combina una retardación de llama eficiente y un excelente rendimiento eléctrico. Con solo un 6% -10% de adición, puede lograr un retardante de llama UL 94 V-0 de 1,6 mm de espesor, resolviendo por completo los problemas de la industria de los retardantes de llama tradicionales "que contaminan los sustratos, interfieren con el rendimiento eléctrico y no pueden cumplir con el grado electrónico". Proporciona una solución de material central segura y compatible para la fabricación de productos electrónicos de alta gama.

Fortalezas centrales

1. Pureza ultraalta y bajas impurezas, adecuado para estrictos requisitos de grado electrónico

-El proceso de purificación definitivo garantiza la pureza: utilizando una combinación de proceso de "recristalización de múltiples etapas+filtración de precisión+desgasificación al vacío", la pureza del producto es ≥ 99,8%, muy superior al estándar de grado industrial 99%, eliminando eficazmente impurezas nocivas como iones de cloruro (≤ 0,001%) y sulfatos (≤ 0,002%), evitando la migración de impurezas que pueden causar cortocircuitos en los componentes electrónicos o degradación del rendimiento.

-Residuos de metales pesados ​​ultrabajos: mediante la detección ICP-MS, el contenido total de metales pesados ​​como plomo, mercurio, cadmio, etc. es ≤ 0,5 ppm, muy por debajo de los requisitos límite de RoHS 2.0. No hay residuos de ftalatos (DEHP/BBP, etc.), cumpliendo plenamente con los estándares de "baja contaminación, alta limpieza" para materiales de grado electrónico.

-El alto contenido de fósforo potencia un retardo de llama eficiente: con un contenido de fósforo de ≥ 42,5%, la eficiencia de retardo de llama aumenta en un 40% en comparación con el hipofosfito de aluminio ordinario. Después de combinar con sinergistas como MCA y APP, agregar un 8% al sustrato de PCB puede lograr un retardo de llama de nivel V-0 sin afectar las propiedades dieléctricas del sustrato.

2. El excelente rendimiento eléctrico garantiza el funcionamiento estable de los dispositivos electrónicos.

-Baja pérdida dieléctrica y alto aislamiento: constante dieléctrica (1MHz) ≤ 3,8, factor de pérdida dieléctrica ≤ 0,005, resistividad de volumen ≥ 10 ¹⁴Ω· cm. La adición no cambia significativamente las propiedades eléctricas del sustrato, lo que garantiza la estabilidad de la transmisión de señales del embalaje de semiconductores y de los equipos de comunicación de alta frecuencia.

-Excelentes características anti-migración de iones: después de ser colocado en un ambiente húmedo y caliente de 85 ℃/85% RH durante 1000 horas, no hay un fenómeno obvio de migración de iones, lo que evita que los componentes electrónicos experimenten "fallas de migración eléctrica" ​​y cumplen con los requisitos de servicio a largo plazo de baterías de nueva energía, electrónica automotriz y otros dispositivos.

-Buena no corrosividad y compatibilidad: el valor de pH es estable entre 3,5 y 4,5 y no tiene efectos corrosivos en contactos metálicos ni placas de circuito. Tiene una excelente compatibilidad con sustratos de grado electrónico como resina epoxi, PA, PBT, etc., y no causa degradación del sustrato ni deterioro del rendimiento.

Escenarios de aplicación

Campo de semiconductores y embalaje electrónico.

-Aplicaciones: materiales de embalaje de chips semiconductores, adhesivos para encapsular componentes electrónicos, carcasas de circuitos integrados.

-Como relleno de bajo dieléctrico para reemplazar algunos micropolvos de silicio, la cantidad agregada es del 15 al 30 %. Mientras mantiene la fluidez, reduce la constante dieléctrica entre 0,2 y 0,3 y mejora el retardo de llama a UL94 V-0. Se utiliza para empaquetar CPU, GPU y chips de almacenamiento.

Campo de placa de circuito impreso (PCB)

-Aplicaciones: materiales de sustrato de PCB, laminados revestidos de cobre ignífugos, carcasas de placas de circuito

-Laminado revestido de cobre (CCL) de baja pérdida: compuesto con resinas de alta frecuencia como PTFE, PPO, éster de cianato, etc., con una adición de E-AHP100 del 20-40%, logrando Dk 3.2-3.8 y Df<0.005, cumpliendo con los requisitos de placas de antena de onda milimétrica 5G y tableros traseros de servidores de alta velocidad.

Si está buscando fosfato de aluminio de grado electrónico, retardantes de llama para componentes electrónicos, retardantes de llama para sustratos de PCB y retardantes de llama para baterías de nueva energía, Taixing será su mejor socio y le ofreceremos la cooperación con el precio más bajo.